歷經各項測試 表現優秀
在外延厚度測試、翹曲測試、表面形貌測試、接觸式霍爾測試中表現優秀，片內成膜均勻、完整
提升20%
與國際器件線性度對比
降低20%
與國際材料射頻損耗對比
<0.55mm
邊緣裂紋長度
GaN外延材料技術各項性能指標優異
優秀技術
攻克難題
材料射頻損耗對比 (0.4dB/mm@40GHz) 器件線性度對比(-36.7dBc@26GHz)
性能卓越
進步的射頻材料和電子材料性能優秀
高精尖設備 確保產能
擁有多臺高精尖設備，可直接提供2~8英寸微波射頻/電力電子應用GaN外延材料，年產能GaN外延片3000片
多項專利著作
掌握知識產權
擁有多項核心技術獲多項授權專利，并發表多項公開論文及高水平專著
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